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MOSFET

金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。



理解MOSFET的幾個常用參數VDS,即漏源電壓,這是MOSFET的一個極限參數,表示MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓值。需要注意的是,這個參數是跟結溫相關的,通常結溫越高,該值最大。 RDS(on),漏源導通電阻,它表示MOSFET在某一條件下導通時,漏源極之間的導通電阻。這個參數與MOSFET結溫,驅動電壓Vgs相關。在一定范圍內,結溫越高,Rds越大;驅動電壓越高,Rds越小。 Qg,柵極電荷,是在驅動信號作用下,柵極電壓從0V上升至終止電壓(如15V)所需的充電電荷。

也就是MOSFET從截止狀態到完全導通狀態,驅動電路所需提供的電荷,是一個用于評估MOSFET的驅動電路驅動能力的主要參數。 Id,漏極電流,漏極電流通常有幾種不同的描述方式。根據工作電流的形式有,連續漏級電流及一定脈寬的脈沖漏極電流(Pulsed drain current)。這個參數同樣是MOSFET的一個極限參數,但此最大電流值并不代表在運行過程中漏極電流能夠達到這個值。它表示當殼溫在某一值時,如果MOSFET工作電流為上述最大漏極電流,則結溫會達到最大值。所以這個參數還跟器件封裝,環境溫度有關。

 Eoss,輸出容能量,表示輸出電容Coss在MOSFET存儲的能量大小。由于MOSFET的輸出電容Coss有非常明顯的非線性特性,隨Vds電壓的變化而變化。所以如果datasheet提供了這個參數,對于評估MOSFET的開關損耗很有幫助。并非所有的MOSFET手冊中都會提供這個參數,事實上大部分datasheet并不提供。 Body Diode di/dt 體二極管的電流變化率,它反應了MOSFET體二極管的反向恢復特性。因為二極管是雙極型器件,它受到電荷存儲的影響,當二極管反向偏置時,PN結儲存的電荷必須清除,上述參數正是反應這一特性的。

 Vgs,柵源極最大驅動電壓,這也是MOSFET的一個極限參數,表示MOSFET所能承受的最大驅動電壓,一旦驅動電壓超過這個極限值,即使在極短的時間內也會對柵極氧化層產生永久性傷害。一般來說,只要驅動電壓不超過極限,就不會有問題。但是,某些特殊場合,因為寄生參數的存在,會對Vgs電壓產生不可預料的影響,需要格外注意。 SOA,安全工作區,每種MOSFET都會給出其安全工作區域,不同雙極型晶體管,功率MOSFET不會表現出二次擊穿,因此安全運行區域只簡單從導致結溫達到最大允許值時的耗散功率定義。功率MOSFET的選型原則了解了MOSFET的參數意義,如何根據廠商的產品手冊表選擇滿足自己需要的產品呢?可以通過以下四步來選擇正確的MOSFET。

1) 溝道的選擇  

為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道 MOSFET.在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝 道MOSFET,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道 MOSFET,這也是出于對電壓驅動的考慮。  

2) 電壓和電流的選擇  

額定電壓越大,器件的成本就越高。根據實踐經驗,額定電壓應當大于干線電壓或 總線電壓。這樣才能提供足夠的保護,使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言,必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓,即最大VDS.設計工程 師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同;通常,便攜式設備為20V、FPGA電源 為20~30V、85~220VAC應用為450~600V.  

在連續導通模式下,MOSFET處于穩態,此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電 涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。 

3) 計算導通損耗  

MOSFET器件的 功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算,由于導通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜式設計來說,采用較低的電壓比較容易 (較為普遍),而對于工業設計,可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電阻的各種電氣參數變化可在制造商提供 的技術資料表中查到。  

4) 計算系統的散熱要求  

設計人員必須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果,因為這 個結果提供更大的安全余量,能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據;比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻,以及最 大的結溫。  

開關損耗其實也是一個很重要的指標。導通瞬間的電壓電流乘積相當大,一定程度上決定了器件的開關性能。不過,如果系統對開關性能要求比較高,可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。


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